據(jù)韓國媒體《BusinessKorea》報道,半導體大廠三星正加緊準備2022年開始對其位于平澤的新半導體工廠進行大規(guī)模投資。CW8esmc
報道指出,三星計劃先在建設中的平澤3號工廠(P3) 建立NAND Flash生產(chǎn)線,然后再建立DRAM生產(chǎn)線和3納米制程代工產(chǎn)線。目前,三星正與國內外材料、零組件、設備合作伙伴洽談。CW8esmc
P3工廠擴建后,三星將增設一條第七代176層NAND Flash生產(chǎn)線,每月生產(chǎn)40K~50K的12英寸晶圓,預計2022年4月左右開始引進設備。CW8esmc
市場分析師表示,先安裝NAND Flash生產(chǎn)線的原因,是為了擴大與追隨者的技術差距,因為NAND Flash市場競爭加劇,據(jù)市場人士說法,西部數(shù)據(jù)可能收購日本存儲器大廠鎧俠,美光科技也量產(chǎn)176層堆疊NAND Flash,在此情況下,NAND Flash市場的競爭正逐漸升溫。CW8esmc
此外,三星還制定了2022年下半年建設DRAM和3納米代工產(chǎn)線計劃。市場人士預計,為響應DDR5 DRAM時代的到來,三星將打造14納米制程EUV DRAM生產(chǎn)線。業(yè)內人士進一步補充,三星計劃建立3納米制程代工產(chǎn)線,未來每月可量產(chǎn)10K~20K的12英寸晶圓。CW8esmc
三星電子預計,2022年將在華城和P3工廠所在的平澤工廠導入先進生產(chǎn)技術。據(jù)三星計劃,投資DRAM和晶圓代工產(chǎn)線后,其在韓國的半導體產(chǎn)能將增加至每月150K晶圓。CW8esmc
責編:Clover.li