DRAM：DDR4顆粒下修幅度更勝于DDR3
上半周DRAM整體市場價格略顯趨緩，仍是因部分供貨商不愿承接跌價壓力，皆以持平緩跌報(bào)價為主，但下半周后則因不敵整體市場跌勢，DDR4部分容量顆粒下滑有感，下修幅度更勝于DDR3，最終交易量持續(xù)緊縮。txdesmc
DDR4 1Gx8 2666/3200部分，SK Hynix DJR-XNC價格持續(xù)下跌來到USD3.70~3.90，CJR-XNC價格落在USD3.90左右，CJR-VKC報(bào)價跌幅較為明顯，已來到USD3.90；Samsung WC-BCTD報(bào)價落在USD4.90~5.00，WB-BCTD報(bào)價位在USD4.4x左右。txdesmc
DDR4 512x8 2400部分，Samsung WE-BCRC報(bào)價跌幅明顯，來到USD2.8x附近。txdesmc
DDR4 512x16 2666部分，SK Hynix CJR-VKC一般現(xiàn)貨報(bào)價落在USD4.30左右；Samsung WC-BCTD現(xiàn)貨價格下跌至USD4.15~4.18。txdesmc
DDR4 256x16部分，Samsung WE-BCRC價格跌落至USD2.50左右，而WF-BCTD報(bào)價維持在USD2.65附近。txdesmc
模組現(xiàn)貨價格參考：txdesmc
KST DDR4 4G 2666 $19.20txdesmc
KST DDR4 8G 2666 $33.35txdesmc
KST DDR4 16G 2666 $66.50txdesmc
KST DDR4 32G 2666 $134.50txdesmc
KST DDR4 4G 3200 $19.70txdesmc
KST DDR4 8G 3200 $34.35txdesmc
KST DDR4 16G 3200 $68.50txdesmc
KST DDR4 32G 3200 $136.25txdesmc
NAND Flash：整體價格跌幅逐漸擴(kuò)大
本周終端成品賣壓沉重，NAND Flash原廠端陸續(xù)到貨報(bào)價應(yīng)聲走跌，供應(yīng)端及工廠為紓解資金壓力積極求售現(xiàn)有庫存，釋出較低報(bào)價及議價空間，整體跌幅逐漸擴(kuò)大，雖有零星詢單于相對低價部位，但買方大多抱持后續(xù)仍有下降趨勢態(tài)度，備貨動能低下，整體盤勢下探，交易情況明顯蕭條。txdesmc
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其中，Samsung部分，受到整體需求萎縮影響，市場報(bào)價微幅向下調(diào)整，工廠端少量固定需求支撐，盤勢表現(xiàn)較為震蕩。txdesmc
SK Hynix SLC顆粒持續(xù)到貨，供應(yīng)端調(diào)整報(bào)價刺激買氣，買方后續(xù)需求保守，大多推遲備貨，供需雙方未見交集。txdesmc
Micron SLC顆粒報(bào)價大致持平保有議價空間，詢單交易情況亦不熱絡(luò)，未見明顯需求。txdesmc
Kioxia SLC顆粒供應(yīng)端調(diào)整庫存有些許貨量釋出，零星需求轉(zhuǎn)為觀望，實(shí)際購貨力道逐漸萎縮，價格表現(xiàn)略為疲軟。txdesmc
TF卡：價格呈現(xiàn)下滑趨勢
本周TF卡表現(xiàn)相對平淡，買家問價動作零星，多數(shù)仍處于觀望狀態(tài)，供應(yīng)端賣壓持續(xù)，下調(diào)價格求售，但依然難以刺激買氣，價格呈現(xiàn)下滑趨勢，整體成交情況不佳。txdesmc
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責(zé)編：Momoz
