進(jìn)入到2024年，存儲(chǔ)行業(yè)正如大家所預(yù)期的，延續(xù)了2023年Q4以來的漲勢(shì)，繼續(xù)往積極行情方向前進(jìn)?？梢哉f，現(xiàn)在是存儲(chǔ)企業(yè)的甜蜜期，此前存儲(chǔ)原廠的減產(chǎn)策略頗見成效。ouSesmc

從短期來看，NAND和DRAM至少在今年上半年依舊樂觀。分析機(jī)構(gòu)也預(yù)計(jì)，NAND的漲勢(shì)要比DRAM來得更為明顯，甚至?xí)S持到今年下半年。最為直接的推動(dòng)因素，一方面是前些年存儲(chǔ)原廠減產(chǎn)有了成效，另一方面是新冠疫情初期消費(fèi)者為居家辦公/學(xué)習(xí)購買的PC已經(jīng)進(jìn)入換機(jī)時(shí)間點(diǎn)，同時(shí)今年也會(huì)有一批AI手機(jī)進(jìn)入出貨階段，可帶動(dòng)一波SSD、UFS、eMMC需求。ouSesmc

從長期來看，伴隨AI服務(wù)器和通用服務(wù)器的快速增長，在未來相當(dāng)長時(shí)間內(nèi)，企業(yè)級(jí)SSD也會(huì)有更多需求。與此同時(shí)，新能源汽車和自動(dòng)駕駛汽車的各個(gè)系統(tǒng)，均需使用到嵌入式車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)，隨著全球各國停售燃油車進(jìn)度加快，車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)的需求也將持久且龐大。ouSesmc

一般來說，AI服務(wù)器用到的主要存儲(chǔ)器，包括CPU內(nèi)存(DRAM)、GPU顯存(HBM)和固態(tài)硬盤(NAND)等。招商證券在一份報(bào)告中，以英偉達(dá)訓(xùn)練型AI服務(wù)器為例表示，其DRAM容量高達(dá)2TB(DDR5)，HBM總?cè)萘款A(yù)計(jì)超640G，總內(nèi)存容量相較通用服務(wù)器提升4-8倍。而AI服務(wù)器的硬盤容量高達(dá)30TB，主要使用全閃存解決方案，而傳統(tǒng)服務(wù)器一般采用SSD+HDD的方案。前者容量比后者提升2-4倍，且整體價(jià)值量提升約10倍。ouSesmc

總之，不管是短期需求還是長期需求，我們都能預(yù)判存儲(chǔ)行業(yè)發(fā)展的樂觀態(tài)勢(shì)。在此背景下，全球存儲(chǔ)廠商都在摩拳擦掌，希望能在未來的競爭中奪得先機(jī)。在NAND技術(shù)路線部分，西部數(shù)據(jù)的表現(xiàn)一直都是名列前茅，針對(duì)閃存產(chǎn)品的縱向集成的布局，助其SSD產(chǎn)品具備極致的性能優(yōu)勢(shì)。ouSesmc

重點(diǎn)展示的三款產(chǎn)品：聚焦PC、汽車、數(shù)據(jù)中心

一直以來西部數(shù)據(jù)都堅(jiān)持用豐富的存儲(chǔ)解決方案，智能、高效和可靠的存儲(chǔ)技術(shù)及產(chǎn)品，來幫助中國用戶在數(shù)字化浪潮中，推動(dòng)數(shù)字化轉(zhuǎn)型，并助其實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展。ouSesmc

直至今日，西部數(shù)據(jù)的全線產(chǎn)品覆蓋了云數(shù)據(jù)中心、汽車、企業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)等領(lǐng)域，且為了適應(yīng)數(shù)據(jù)量指數(shù)級(jí)激增和數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜的發(fā)展趨勢(shì)，其存儲(chǔ)產(chǎn)品在介質(zhì)、架構(gòu)、應(yīng)用、業(yè)務(wù)等方面都在不斷發(fā)展演進(jìn)。ouSesmc

最近半年時(shí)間，西部數(shù)據(jù)針對(duì)其消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品，均作了性能或介質(zhì)方面的升級(jí)。其中以三款產(chǎn)品最具代表性——在近日的CFMS 2024閃存峰會(huì)上，西部數(shù)據(jù)向現(xiàn)場觀眾重點(diǎn)展示了針對(duì)自動(dòng)駕駛和網(wǎng)聯(lián)汽車的車規(guī)級(jí)UFS 3.1存儲(chǔ)解決方案，針對(duì)商用PC OEM廠商的采用新一代QLC 技術(shù)的Western Digital PC SN5000S NVMe™ SSD，和針對(duì)企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)中心的高性能、大容量Ultrastar DC SN655 NVMe SSD。ouSesmc

·PC SN5000S NVMe SSD，針對(duì)PC OEM廠商

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圖1：西部數(shù)據(jù)PC SN5000S NVMe SSDouSesmc

眾所周知，QLC閃存可以帶來更好的隨機(jī)讀寫性能、順序讀取速度、順序?qū)懭胨俣取＝衲?月中旬，西部數(shù)據(jù)發(fā)布了PC SN5000S NVMe SSD，這是一款采用PCIe Gen4技術(shù)和DRAM-less技術(shù)的QLC SSD，為PC OEM廠商帶來更具性價(jià)比的適用于筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)解決方案。ouSesmc

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圖2：西部數(shù)據(jù)SN5000S(QLC)與SN740(TLC) 512GB性能對(duì)比ouSesmc

此外，新品還配備西部數(shù)據(jù)自研主控。在傳輸協(xié)議和尺寸選擇上，該新品實(shí)施PCIe Gen4x4接口及NVMe 2.0協(xié)議，支持M.2 2230/2280規(guī)格；在存儲(chǔ)容量上，它涵蓋了 512GB、1TB與2TB三種選項(xiàng)，并兼容 nCache 4.0 動(dòng)特性 SLC 緩存技術(shù)。同時(shí)，512GB、1TB與2TB三種型號(hào)的順序讀速均達(dá)到了6,000MB/s，順序?qū)懰賱t依次為 4,200/5,400/5,600 MB/s。ouSesmc

·iNAND AT EU552 UFS 3.1，針對(duì)汽車級(jí)應(yīng)用 

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圖3：西部數(shù)據(jù)iNAND AT EU552 UFS 3.1嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器ouSesmc

憑借在閃存領(lǐng)域數(shù)十年的專業(yè)積累，西部數(shù)據(jù)提供從e.MMC、UFS，到即將推出BGA SSD的全線車規(guī)級(jí)NAND閃存產(chǎn)品，可以滿足正開發(fā)更智能、功能更豐富的汽車客戶不斷發(fā)展的動(dòng)態(tài)需求。ouSesmc

iNAND AT EU552 UFS 3.1嵌入式閃存盤創(chuàng)新性地應(yīng)用了西部數(shù)據(jù)的112層3D NAND技術(shù)，采用UFS 3.1標(biāo)準(zhǔn)接口，可提供高達(dá)1,600MB/s的順序讀取速度和高達(dá)1,200MB/s的順序?qū)懭胨俣?，并集合更先進(jìn)的健康狀況監(jiān)測、增強(qiáng)型意外掉電保護(hù)、快速啟動(dòng)等功能，專為滿足駕駛艙和自動(dòng)駕駛的惡劣環(huán)境與嚴(yán)苛需求而設(shè)計(jì)?？蓾M足未來汽車中ADAS、中央計(jì)算以及3D地圖等高級(jí)技術(shù)的應(yīng)用。ouSesmc

值得注意的是，西部數(shù)據(jù)憑借iNAND AT EU552 UFS 3.1嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器，成為了首批通過ASPICE CL3(等級(jí)3)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案提供商。汽車軟件過程改進(jìn)及能力評(píng)定(ASPICE)是評(píng)估汽車嵌入式軟件開發(fā)過程的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)指南。其ISO/IEC 15504標(biāo)準(zhǔn)證明了汽車供應(yīng)商和制造商的軟件開發(fā)能力能夠滿足OEM要求，并在整個(gè)汽車軟件開發(fā)周期中融入了最佳實(shí)踐。ASPICE CL3表明西部數(shù)據(jù)的開發(fā)流程成熟度達(dá)到了“已建立”級(jí)別，即明確定義、標(biāo)準(zhǔn)化并積極管理，高于CL2的“已管理”級(jí)別。ouSesmc

·Ultrastar DC SN655 NVMe SSD，針對(duì)企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)中心應(yīng)用

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圖4：西部數(shù)據(jù)Ultrastar DC SN655 NVMe SSDouSesmc

在前文我們也提到，數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用將對(duì)企業(yè)級(jí)SSD提出長期的需求。同時(shí)，生成式人工智能的爆紅，也在推動(dòng)各類創(chuàng)新應(yīng)用不斷增長，使得用戶對(duì)大容量、低功耗和高可靠性的存儲(chǔ)需求持續(xù)激增。ouSesmc

為了滿足以上市場對(duì)企業(yè)級(jí)SSD日益增長的需求，西部數(shù)據(jù)推出了新一代的Ultrastar DC SN655 NVMe SSD，它專為需要高性能、大容量的企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)客戶設(shè)計(jì)。SN655是一款高性價(jià)比和低功耗垂直集成的SSD，提供了簡單且可擴(kuò)展的單端口或雙端口路徑，確保滿足企業(yè)高可用性要求下的持續(xù)數(shù)據(jù)訪問。其容量從3.84TB擴(kuò)展到了15.36TB，可滿足存儲(chǔ)和混合工作負(fù)載計(jì)算應(yīng)用的要求。ouSesmc

此外，SN655可以為大型非結(jié)構(gòu)化工作負(fù)載提供了超過100萬的最大隨機(jī)讀取IOPs和更高的服務(wù)質(zhì)量 (Qos)。SN655采用嵌入式U.3 15mm外形尺寸，并向下兼容U.2，同時(shí)還提供了更多企業(yè)級(jí)功能，如電源故障保護(hù)和端到端數(shù)據(jù)路徑保護(hù)，以確保在必要時(shí)的數(shù)據(jù)可用性。ouSesmc

三大核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)，縱向集成極致優(yōu)化SSD

西部數(shù)據(jù)公司中國區(qū)智能終端產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)銷售總監(jiān)文芳表示：“當(dāng)下人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)以及自動(dòng)駕駛等大量數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用場景正高速發(fā)展。這意味著創(chuàng)新的NAND閃存技術(shù)在推動(dòng)更高性能、更低時(shí)延的存儲(chǔ)解決方案方面將扮演更為重要的角色。西部數(shù)據(jù)結(jié)合自身在NAND閃存領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和深厚的用戶洞察，提供了全類別閃存存儲(chǔ)解決方案，并持續(xù)迭代升級(jí)。”ouSesmc

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圖6：西部數(shù)據(jù)公司中國區(qū)智能終端產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)銷售總監(jiān)文芳ouSesmc

在2023年，西部數(shù)據(jù)與鎧俠聯(lián)合推出了218層3D閃存技術(shù)，在性能、密度和成本效益方面實(shí)現(xiàn)了重大飛躍。據(jù)了解，該技術(shù)的突破性創(chuàng)新之一是：CMOS外圍電路直接鍵合到陣列(CBA)技術(shù)，每個(gè)CMOS晶圓和單元陣列晶圓分別在其最佳狀態(tài)下制造，然后鍵合在一起，以提供更高的比特密度和更快的NAND I/O速度。具體來看，218層3D閃存的NAND I/O速度超過3.2Gb / s，速度比上一代提升約60%，同時(shí)其寫入性能提高了約20%，寫入性能和讀取延遲方面改善了約20%。雙方的合作促成了第八代BiCS Flash的成功推出，該閃存擁有業(yè)界最高的位密度。ouSesmc

從產(chǎn)品陣容來看，西部數(shù)據(jù)專注開發(fā)、制造并銷售NAND、固態(tài)硬盤和平臺(tái)在內(nèi)的一系列品類，可以提供數(shù)據(jù)平臺(tái)、連接平臺(tái)、技術(shù)產(chǎn)品等豐富的產(chǎn)品組合。同時(shí)，該公司在企業(yè)級(jí)SSD領(lǐng)域擁有三大核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)，即集完全自主的NAND Flash、先進(jìn)的SSD控制器和高性能固件于一體。其縱向集成的能力能夠讓SSD實(shí)現(xiàn)性能和穩(wěn)定性的極致優(yōu)化，確保SSD生命周期穩(wěn)定的I/O一致性，滿足企業(yè)基礎(chǔ)架構(gòu)建設(shè)對(duì)于安全可靠、敏捷穩(wěn)定、高效智能等多維度需求。ouSesmc