對存儲企業(yè)而言，能否正確預(yù)判市場趨勢，并在此基礎(chǔ)上調(diào)整好業(yè)務(wù)、產(chǎn)品等，是決定它在競爭中可否持續(xù)領(lǐng)先的重要因素。而存儲原廠究竟是怎么預(yù)判趨勢的？在價格“拐點(diǎn)”到來前又會做哪些努力？aO3esmc

在最近的“MTS 2024存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會”上，西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品營銷總監(jiān)張丹女士分享了自己對存儲行業(yè)周期的預(yù)判，以及西部數(shù)據(jù)在預(yù)判基礎(chǔ)上對閃存產(chǎn)品的升級思路。aO3esmc

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西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品營銷總監(jiān)張丹aO3esmc

存儲行業(yè)周期靠“雙新”驅(qū)動

一般來說，存儲行業(yè)的良性循環(huán)周期從新技術(shù)開始，然后到成本產(chǎn)能-價格-新市場-投資，再回到新技術(shù)上。存儲行業(yè)周期性是“雙新”驅(qū)動帶來的影響，所謂“雙新”即是“新技術(shù)”和“新市場”。aO3esmc

“新技術(shù)”不僅能帶來更多比特的輸出，而且還能降低單比特的成本。如果在某一時間段，比特輸出大于產(chǎn)業(yè)的需求，就會出現(xiàn)供過于求、產(chǎn)品價格下跌的情況，存儲行業(yè)的低谷主要發(fā)生在某一代制程開始大規(guī)模量產(chǎn)的時候。aO3esmc

“新市場”會吸收新制程量產(chǎn)帶來的新產(chǎn)能。有時在某些應(yīng)用場景中，新產(chǎn)能無法滿足“新市場”的需求，就會出現(xiàn)短期內(nèi)的供不應(yīng)求、產(chǎn)品價格上升的情況，而存儲行業(yè)上升周期一般發(fā)生在某個應(yīng)用場景激增的時候。aO3esmc

在張丹看來，存儲行業(yè)的良性發(fā)展周期，建立在供應(yīng)端和需求端的動態(tài)平衡上。其中，前者以“新技術(shù)”為代表，后者以“新市場”為代表。目前，存儲行業(yè)正處于循環(huán)曲線上升周期。在周期循環(huán)過程中，存儲產(chǎn)業(yè)通過更優(yōu)的性價比，賦能更多的行業(yè)和領(lǐng)域。由此，也可體現(xiàn)出存儲行業(yè)的宏觀性。aO3esmc

張丹以NAND Flash(閃存)為例，其比特輸出每一年都會增長，該周期性在未來很長一段時間里會重復(fù)出現(xiàn)。閃存行業(yè)的未來，正是靠上游原廠和下游客戶共同成就。aO3esmc

IDC最新數(shù)據(jù)顯示：截至2023年，全球邊、端、云生產(chǎn)的數(shù)據(jù)量已經(jīng)達(dá)到123ZB，其中僅有8ZB的數(shù)據(jù)被存儲下來，而Nand Flash在其中的占比還較小。預(yù)計2024年之后，數(shù)據(jù)的增長速度會明顯加快。過去幾年里，數(shù)據(jù)規(guī)模和準(zhǔn)確度進(jìn)一步增加，體量和質(zhì)量的結(jié)合加大了數(shù)據(jù)本身的變現(xiàn)能力。此外，未來2-3年內(nèi)，生成式AI會進(jìn)入很多行業(yè)，“數(shù)據(jù)生成數(shù)據(jù)”本身也會加速數(shù)據(jù)增長。aO3esmc

而數(shù)據(jù)增長需要更多存儲來讓數(shù)據(jù)落地。在過去二十年間，NAND Flash行業(yè)經(jīng)歷了從PB級到EB級的增長，期間產(chǎn)生了大量的消費(fèi)級和企業(yè)級應(yīng)用場景，由此促進(jìn)了NAND Flash行業(yè)的爬坡和需求。預(yù)計未來兩到三年內(nèi)，以邊云為核心的應(yīng)用會邁入ZB時代。Gartner的數(shù)據(jù)預(yù)測，2024-2025年期間，F(xiàn)lash存儲行業(yè)會達(dá)到1ZB，到2026年將增長到1.5ZB左右。aO3esmc

西部數(shù)據(jù)的閃存工藝演進(jìn)方向

實際上，NAND Flash產(chǎn)品的升級，也順應(yīng)了全球數(shù)據(jù)增長帶來存儲需求，閃存企業(yè)如何才能做到最佳投入產(chǎn)出比？在張丹看來，不能在單一的維度去進(jìn)行工藝的演進(jìn)。“NAND Flash擴(kuò)展容量、降低成本，可以圍繞邏輯擴(kuò)容、垂直擴(kuò)容、水平擴(kuò)容、結(jié)構(gòu)優(yōu)化這四個象限來努力。只有垂直擴(kuò)容和水平擴(kuò)容平衡發(fā)展，才能為行業(yè)帶來最優(yōu)性價比的產(chǎn)品。”aO3esmc

根據(jù)她的介紹，這四大象限包括以下：aO3esmc

• 邏輯擴(kuò)容：依次從SLC、MLC、TLC、QLC到PLC，每個單元存儲的數(shù)據(jù)越來越多，同時控制成本也日益提升；
• 垂直擴(kuò)容：可簡單理解為“層數(shù)的疊加”，會增加單位面積容量、降低單位比特成本，但也會帶來額外的成本，比如生產(chǎn)周期更長、產(chǎn)品良率更低；
• 水平擴(kuò)容：在每一層增加更多存儲容量，通過增加每一層的孔隙密度，達(dá)到更大單位比特的容量，這是新技術(shù)、新制程重點(diǎn)關(guān)注的方向；
• 結(jié)構(gòu)優(yōu)化：優(yōu)化周邊的邏輯電路和存儲單元之間的分布關(guān)系，比如從原來的CNA和CUA到現(xiàn)在的CBA，未來可能會有多層鍵合的場景。

張丹透露說，西部數(shù)據(jù)在閃存產(chǎn)品上的創(chuàng)新，正是圍繞以上四個象限來努力。在這種創(chuàng)新模式下，西部數(shù)據(jù)在今年發(fā)布了第八代3D制程產(chǎn)品BiCS8，預(yù)計該產(chǎn)品將在明年大規(guī)模量產(chǎn)。aO3esmc

BiCS8的堆疊層數(shù)達(dá)到了218層，且達(dá)到相對優(yōu)化的單位比特容量，是水平擴(kuò)容與垂直擴(kuò)容相結(jié)合的結(jié)果。同時，該公司也對新產(chǎn)品進(jìn)行了結(jié)構(gòu)優(yōu)化，BiCS8首次引入了CBA技術(shù)(CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列)，其存儲單元與周邊電路分開生產(chǎn)，再進(jìn)行晶圓對晶圓的鍵合。aO3esmc

在以上眾多方向上的優(yōu)化升級下，BiCS8的218層3D閃存技術(shù)，利用具有四個平面的1Tb TLC(三級單元)和QLC(四級單元)，采用創(chuàng)新的橫向收縮技術(shù)，將位密度提高了約50%。其NAND I/O速度超過 3.2Gb/s，比上一代產(chǎn)品提高了約60%，同時寫入性能和讀取延遲方面改善了約20%。aO3esmc

張丹強(qiáng)調(diào)CBA技術(shù)帶來的產(chǎn)品優(yōu)勢時表示，CMOS和周邊邏輯電路是兩片晶圓，由于邏輯電路可以單獨(dú)生產(chǎn)，可不用承受存儲電路的高溫工藝制程，其發(fā)展方向會更可控、更優(yōu)化；存儲單元和周邊電路分開生產(chǎn)，也可帶來額外的生產(chǎn)靈活性，簡化了產(chǎn)品制程演進(jìn)中的復(fù)雜度，可以有效縮短生產(chǎn)周期，助力產(chǎn)品有更大的容量和接口速度。aO3esmc

除了在產(chǎn)品本身的創(chuàng)新之外，西部數(shù)據(jù)在生產(chǎn)流程上也有優(yōu)化。該公司位于上海的先進(jìn)閃存產(chǎn)品封裝測試工廠，在2022年獲得了“可持續(xù)發(fā)展燈塔工廠”的稱號，這是中國首家獲得世界經(jīng)濟(jì)論壇“可持續(xù)發(fā)展燈塔工廠”稱號的企業(yè)。aO3esmc

據(jù)了解，西部數(shù)據(jù)在燈塔工廠項目中，將機(jī)器學(xué)習(xí)、大數(shù)據(jù)分析和自動化等先進(jìn)技術(shù)引入到生產(chǎn)線。目前，該燈塔工廠將每PB產(chǎn)品的水資源消耗減少了約62%，生產(chǎn)用水回收率已提高至超過90%；值得注意的是，燈塔工廠還引入了能耗預(yù)測系統(tǒng)，熱能回收再利用等方式也大大減少了生產(chǎn)單位能源消耗和碳排放，相較于傳統(tǒng)能耗方式，每PB產(chǎn)品的能源消耗減少了約51%。aO3esmc

產(chǎn)品組合賦能多領(lǐng)域數(shù)字化發(fā)展

前面我們談到了新技術(shù)方面的創(chuàng)新，接下來再看西部數(shù)據(jù)的閃存產(chǎn)品對多領(lǐng)域數(shù)字化發(fā)展的賦能。整體而言，在對市場洞察和客戶需求預(yù)判的基礎(chǔ)上，西部數(shù)據(jù)的閃存產(chǎn)品組合，可覆蓋了云數(shù)據(jù)中心、汽車、IoT等領(lǐng)域的應(yīng)用。aO3esmc

• 西部數(shù)據(jù)Ultrastar DC SN655 NVMe SSD

為了滿足分解存儲、對象存儲、存儲服務(wù)器和其他任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用程序的工作負(fù)載，西部數(shù)據(jù)推出了Ultrastar DC SN655 NVMe SSD，它專為需要高性能、大容量的企業(yè)級存儲客戶設(shè)計，可滿足大型數(shù)據(jù)中心的大工作負(fù)載。aO3esmc

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<西部數(shù)據(jù)Ultrastar DC SN655 NVMe SSD，采用嵌入式U.3 15mm外形尺寸>aO3esmc

Ultrastar DC SN655是一款支持雙端口的2.5英寸U.3 SSD，采用嵌入式U.3 15mm外形尺寸，并向下兼容U.2。其容量從3.84TB擴(kuò)展到15.36TB，可滿足存儲和混合工作負(fù)載計算應(yīng)用的要求，并將SSD的可靠性提高到250萬小時的平均故障間隔時間(預(yù)計)。對于單個數(shù)據(jù)載體而言，意味著它可以完美工作數(shù)年。aO3esmc

同時，Ultrastar DC SN655還為大型非結(jié)構(gòu)化工作負(fù)載提供了超過100萬的最大隨機(jī)讀取IOPs和更高的服務(wù)質(zhì)量(Qos)，且提供了更多企業(yè)級功能，比如電源故障保護(hù)和端到端數(shù)據(jù)路徑保護(hù)，以確保在必要時的數(shù)據(jù)可用性。aO3esmc

• 西部數(shù)據(jù)Ultrastar DC SN650 NVMe SSD

Ultrastar DC SN650 NVMe SSD是西部數(shù)據(jù)2022年針對企業(yè)級數(shù)據(jù)中心推出的SSD，其可以用于大數(shù)據(jù)分析和AI/ML的數(shù)據(jù)集，縮短時延并提高數(shù)據(jù)吞吐量，從而實現(xiàn)更快的洞察和實時分析。aO3esmc

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<西部數(shù)據(jù)Ultrastar DC SN650 NVMe SSD，采用輕薄E1.L規(guī)格尺寸>aO3esmc

具體來看，Ultrastar DC SN650可提供最高達(dá)15.36TB的容量，采用BiCS 5 3D TLC NAND和PCle 4.0接口，通過增加單位SSD的虛擬化主機(jī)數(shù)量，以及整合更大的數(shù)據(jù)集來提高存儲資源利用率。該產(chǎn)品采用更輕薄的E1.L規(guī)格尺寸增加了機(jī)架存儲密度，在降低TCO的同時提高了存儲的可管理性、可維護(hù)性和效率。aO3esmc

此外，Ultrastar DC SN650 NVMe SSD E1.L符合OCP云規(guī)范1.0a。aO3esmc

• 西部數(shù)據(jù)iNAND AT EU552 UFS 3.1嵌入式閃存盤

為了助力汽車能管理海量數(shù)據(jù)，汽車存儲解決方案既要滿足各種環(huán)境和溫度條件，還要完全兼容符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的接口，西部數(shù)據(jù)全新推出了可提供滿足以上所有需求的車規(guī)級嵌入式閃存盤，iNAND AT EU552 UFS 3.1嵌入式閃存盤是其中的最新產(chǎn)品。該產(chǎn)品配備了3D NAND技術(shù)，專為駕駛艙解決方案和自動駕駛嚴(yán)苛的存儲需求而設(shè)計。aO3esmc

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<西部數(shù)據(jù)iNAND AT EU552 UFS 3.1嵌入式閃存盤，采用UFS 3.1標(biāo)準(zhǔn)接口>aO3esmc

西部數(shù)據(jù)車規(guī)級iNAND AT EU552 UFS 3.1嵌入式閃存盤特征與優(yōu)勢還包括：aO3esmc

• 采用112層3D NAND閃存技術(shù)；
• 順序讀取速度高達(dá)1,600MB/s，順序?qū)懭胨俣雀哌_(dá)1,200MB/s，適用于eCockpit, ADAS與自動駕駛解決方案；
• UFS 3.1標(biāo)準(zhǔn)接口嵌入式閃存驅(qū)動器，具備適用于汽車應(yīng)用的附加功能；
• 先進(jìn)的內(nèi)存管理固件功能，包含強(qiáng)大的ECC、讀取刷新、磨損平衡和壞塊管理功能；
• 汽車特定功能集，包括先進(jìn)的健康狀況監(jiān)測，增強(qiáng)型意外掉電保護(hù)、快速啟動、增強(qiáng)型SLC LUN。

隨著各類新興技術(shù)不斷演變，無論是企業(yè)級存儲，還是車規(guī)級存儲，它們都會不斷提出更加嚴(yán)格的存儲需求。存儲產(chǎn)品供應(yīng)商需要不斷升級迭代自己的產(chǎn)品，才能滿足用戶日益增長的存儲需求。相信西部數(shù)據(jù)將持續(xù)圍繞邏輯擴(kuò)容、垂直擴(kuò)容、水平擴(kuò)容、結(jié)構(gòu)優(yōu)化四方面不停做迭代升級，為用戶提供全線多場景的存儲技術(shù)和產(chǎn)品、持續(xù)創(chuàng)新研發(fā)。aO3esmc