8Ofesmc
據(jù)悉,日前發(fā)布的新款汽車級MOSFET與最接近的DPAK和D2PAK封裝競品器件相比,導通電阻分別降低26%和46%,占位面積分別減小50%和76%。SQJ211ELP低導通電阻有助于降低導通功耗,從而節(jié)省能源,10V條件下優(yōu)異的柵極電荷僅為45nC,減少柵極驅(qū)動損耗。8Ofesmc
這款新型MOSFET可在+175℃高溫下工作,滿足反向極性保護、電池管理、高邊負載開關和LED照明等汽車應用牢固性和可靠性要求。此外,SQJ211ELP鷗翼引線結(jié)構(gòu)還有助于提高自動光學檢測(AOI)功能,消除機械應力,提高板級可靠性。8Ofesmc
該器件100V額定值滿足12V、24V和48V系統(tǒng)多種常用輸入電壓軌所需安全裕度。此外,作為p溝道MOSFET,SQJ211ELP可簡化柵極驅(qū)動設計,無需配置n溝道器件所需電荷泵。MOSFET采用無鉛(Pb)封裝、無鹵素、符合RoHS標準,經(jīng)過100 % Rg和UIS測試。8Ofesmc
SQJ211ELP現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為14周。8Ofesmc
*國際電子商情對文中陳述、觀點判斷保持中立,不對所包含內(nèi)容的準確性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保證。8Ofesmc
責編:Momoz