碳化硅 (SiC) 是一種由硅和碳組成的半導體材料，用于為電動汽車 (EV)、電源、電機控制電路和逆變器等高壓器件生產(chǎn)專門的功率器件。絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 和金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 等傳統(tǒng)硅基功率器件的制造工藝簡單并具有成本效益，歷來是市場中的主導。但與其相比，SiC 具有許多優(yōu)勢。
使用碳化硅等寬帶隙 (WBG) 材料代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硅基技術(shù)有助于提高開關(guān)速度和擊穿電壓。這一進步推動了更小、更快、更可靠和更高效功率器件的開發(fā)。然而，新技術(shù)也在熱阻、器件完整性和器件穩(wěn)健性方面帶來了重重挑戰(zhàn)。
本白皮書介紹了 Simcenter 如何使用符合新測試標準的新型熱瞬態(tài)測試和功率循環(huán)方法來幫助應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。
