隨著3D XPoint存儲器芯片脫離研究端段進入量產(chǎn)，英特爾(Intel)與美光(Micron)合資存儲器制造商IM Flash的共同執(zhí)行長Guy Blalock在一場于美國加州舉行的芯片業(yè)高層年會上，透露了更多有關該創(chuàng)新存儲器技術的細節(jié)，以及其產(chǎn)品藍圖與制作上的困難度。 英特爾與美光是在去年7月宣布定義了一種新存儲器架構3D XPoint，填補了DRAM與快閃存儲器之間的空隙，以更高的性能與較低的延遲，提供媲美NAND快閃存儲體的密度；Blalock 表示：“硫系(Chalcogenide)材料與Ovonyx公司開發(fā)的開關(switch)，是這種起源可回溯至1960年代的存儲器技術之神奇成分。” Blalock指出，XPoint存儲器可能還需要12~18個月才會進入量產(chǎn)，制作這種芯片就像3D NAND組件一樣，仍面臨數(shù)個挑戰(zhàn)；兩種芯片目前都在IM Flash的美國猶他州晶圓廠進行開發(fā)?！拔覀冋谂朔щy實現(xiàn)這兩種新存儲器產(chǎn)品；”不過他也透露，XPoint存儲的樣本就快要問世：“再給研發(fā)人員一點點時間去解決最后的小問題?！? 新材料的一個缺點是可能會有交叉污染(cross contamination)的問題；Blalock表示，要避免這種威脅：“你需要增加許多的層疊沉積制程步驟，以及很多擴散(diffusion)與化學氣相沉積(CVD)?！彼_認了去年市場出現(xiàn)的猜測。 3D Xpoint使用了至少100種新材料，也引發(fā)了關于供應鏈的疑慮；對此Blalock指出：“有一些材料我們可能只有來自單一地點的單一供應商…很多客戶會無法忍受這種程度的風險──他們想要有多供應來源與地點，以避免天災威脅?！? Blalock表示，XPoint 與3D NAND的獨特垂直設計架構，需要更多的機器執(zhí)行制程步驟，會削減約15%的晶圓廠產(chǎn)出：“我們不曾見過有哪一種技術帶來這種程度的產(chǎn)出率降低挑戰(zhàn)?！鳖~外的設備可能讓資本支出與所需廠房空間，比先前的最新一代快閃存儲器增加3~5倍；此外，未來XPoint技術每一次演進也預期會需要比3D NAND更多的支出與廠房空間。 因此IM Flash正在催促設備制造商大幅提升系統(tǒng)生產(chǎn)力，為了保持晶圓廠產(chǎn)出速度平穩(wěn)；濕式制程必須從第一代的在每26平方英尺廠房面積、每小時處理180片晶圓，在第三代大幅提升至在每20平方英尺廠房面積、每小時處理1,000片晶圓。 Blalock表示：“濕式制程設備表現(xiàn)非常好…但干式蝕刻并沒有在生產(chǎn)力上有太多進步，以因應挑戰(zhàn)；”他呼吁設備生產(chǎn)力提升需要由傳統(tǒng)20~30%的幅度，大幅演進至兩倍到三倍。

3D NAND 與XPoint 存儲器需要更高的成本與更大生產(chǎn)空間（來源：IM Flash）
上述種種挑戰(zhàn)可能會影響XPoint產(chǎn)品藍圖；Blalock預見3D NAND 會有一個簡單的進程，從32層開始增加至48與64層，而XPoint一開始會是雙層堆疊：“我們可以清楚看到它發(fā)展至四層堆疊，以及采用正確微影技術的設計微縮帶來之些許好處…如果深紫外光微影(EUV)能跟著3D XPoint進展三個世代，會簡單得多?！? 在一個以非揮發(fā)性存儲器為基礎的固態(tài)硬盤中，XPoint能提供每秒9萬5,000 I/O運作、9微秒(microsecond)延遲的性能，而快閃存儲器則是每秒1萬3,400 I/O、73微秒延遲；XPoint的高性能可望實現(xiàn)各種應用，包括執(zhí)行巨量資料分析的服務器、機器學習，以及高端游戲機等。 Blalock透露，第二代XPoint可望應用于一種結(jié)合DRAM的混合式主存儲器，鎖定需要更高密度、并能耐受更高延遲的應用。應用于DIMM的XPoint版本，則能實現(xiàn)在雙插槽Xeon服務器中高達6TBytes的主存儲器，而成本只要DRAM的一半；英特爾資料中心事業(yè)群總經(jīng)理Diane Bryant先前曾表示，該種服務器預定2017年上市。 本文授權編譯自EE Times，版權所有，謝絕轉(zhuǎn)載

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