最近有位半導體產(chǎn)業(yè)分析師針對英特爾(Intel)將在下兩個工藝世代使用的技術(shù)，提出了大膽且詳細的預測；如果他的預言成真，意味著芯片龍頭英特爾又將大幅超前其他半導體同業(yè)。
這位分析師David Kanter在他自己的網(wǎng)站發(fā)表一篇分析文章，指出英特爾將會在10納米節(jié)點采用量子阱(quantum well) FET；這種新的晶體管架構(gòu)將會采用兩種新材料──以砷化銦鎵(indium gallium arsenide，InGaAs)制作n型晶體管，以應(yīng)變鍺(strained germanium)制作p型晶體管。
英特爾曾在2009年的IEDM會議論文透露其正在開發(fā)的InGaAs制程技術(shù)
若預測正確，英特爾最快在2016年可開始生產(chǎn)10納米工藝晶體管，且功耗能比其他工藝技術(shù)低200毫伏(millivolts)；Kanter預期，其他半導體制造業(yè)者在7納米節(jié)點之前難以追上英特爾的技術(shù)，差距約是兩年。Kanter指出，英特爾可能還要花一年多的時間才會公布其10納米工藝計劃，而他自認其預測有90%的準確度。
英特爾曾在2009年的IEDM會議論文透露其正在開發(fā)的InGaAs工藝技術(shù)
Kanter的分析文章是根據(jù)對英特爾在年度IEEE國際電子組件會議(IEDM)發(fā)表的數(shù)十篇篇論文研究所得，此外還有英特爾與芯片制造相關(guān)的專利；他在接受EETimes美國版訪問時表示：“我所看到的一切都朝這個方向發(fā)展；問題應(yīng)該不在于英特爾會不會制作量子阱FET，而是他們會在10納米或7納米節(jié)點開始進行?！?
“在晶體管通道采用復合半導體材料并非只有英特爾一家在研究，但顯然到目前為止沒有人做到像英特爾所發(fā)表的這么多；”Kanter指出：“英特爾在鍺材料方面的論文與專利很少，但該技術(shù)較廣為人知?！贝送馑A期英特爾會采用純鍺，不過也可能會透過先采用硅鍺(silicon germanium)來達到該目標。
Kanter并表示他在發(fā)表分析文章之前，曾提供內(nèi)容給英特爾看；不過該公司婉拒發(fā)表任何相關(guān)評論。
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責編：Quentin
