市場研究機(jī)構(gòu) Coughlin Associates 的最新報(bào)告預(yù)測，磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)──包含磁場感應(yīng)(field-induced)以及自旋力矩轉(zhuǎn)移(spin-torque transition，STT)等形式──將在未來因?yàn)槿〈鶧RAM與SRAM而繁榮發(fā)展。
Coughlin Associates 的報(bào)告指出，因?yàn)榫邆涫‰娕c非揮發(fā)特性，MRAM/STT MRAM市場營收規(guī)?？赏?2013年的1.9億美元左右，到2019年成長至21億美元；期間的復(fù)合年平均成長率(CAGR)估計(jì)為50%。
因?yàn)镸RAM能以CMOS邏輯制程生產(chǎn)，使其適合做為嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存使用；該種內(nèi)存需要額外的磁性材料層以及專門的生產(chǎn)設(shè)備，與生產(chǎn)硬盤機(jī)內(nèi)磁性讀寫頭(magnetic read sensors)的設(shè)備類似。Coughlin Associates估計(jì)，市場對獨(dú)立MRAM組件與嵌入式MRAM的需求，將驅(qū)動(dòng)MRAM制造設(shè)備市場的成長；該市場規(guī)模將由2013年的5,290萬美元，在2019年成長至2.463億美元。
除了MRAM，Coughlin Associates 的報(bào)告還討論了相變化內(nèi)存、電阻式內(nèi)存(ReRAM)、鐵電內(nèi)存(FeRAM)以及碳奈米管等技術(shù)；該報(bào)告指出，ReRAM也有取代閃存的潛力，但恐怕還要再過十年才可能發(fā)生，至于MRAM取代SRAM與DRAM的情況在接下來幾年就會(huì)看到，可能早于ReRAM取代閃存的時(shí)程。
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責(zé)編：Quentin
