在上周IIC上,
Triquint宣布推出業(yè)內(nèi)最小的、針對(duì)3G和4G智能手機(jī)的雙頻帶功放雙工器(PAD)。該新型TRITIUM Duo™系列在單一緊湊模塊中結(jié)合了兩個(gè)特定頻帶的
功率放大器(PA)和雙工器,有效地替代了多達(dá)12個(gè)分立器件。并且可以跨平臺(tái)自由匹配流行的頻帶組合。“一個(gè)四頻解決方案(兩個(gè)TRITIUM Duo™模塊)尺寸僅為50平方毫米,是同等分立方案尺寸的一半,為多頻多模的3G/4G手機(jī)留下更多保貴的空間給其它應(yīng)用,比如增加更多功能或?qū)㈦姵刈龅酶?。”TriQuint中國(guó)區(qū)總經(jīng)理熊挺表示,“并且,高度集成方案也簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)?!?
針對(duì)目前多頻多模的3G/4G手機(jī),多顆射頻前端器件的方案不僅成本高,占位面積大,而且也給設(shè)計(jì)帶來(lái)不便。如何集成這些不同頻段和制式的射頻前端器件是業(yè)界一直在研究的重要課題?!澳壳坝袃煞N方案:一種是融合架構(gòu),將不同頻率的射頻功率放大器PA集成;另一種架構(gòu)則是沿信號(hào)鏈路的集成,即將PA與雙工器集成。兩種方案各有優(yōu)缺點(diǎn),適用于不同的手機(jī)。”熊挺解釋。融合架構(gòu),PA的集成度高,對(duì)于3個(gè)以上頻帶巨有明顯的尺寸優(yōu)勢(shì),5-7個(gè)頻帶時(shí)還巨有明顯的成本優(yōu)勢(shì)。缺點(diǎn)是雖然PA集成了,但是雙工器仍是相當(dāng)復(fù)雜,并且PA集成時(shí)有開關(guān)損耗,性能會(huì)受影響。而對(duì)于后一種架構(gòu),性能更好,功放與雙功器集成可以提升電流特性,“大約可以節(jié)省幾十毫安電流,相當(dāng)于延長(zhǎng)15%的通話時(shí)間。”他解釋道?!八?,我們的建議是,大于6個(gè)頻段時(shí)(不算2G,指3G和4G)采用融合架構(gòu),而小于四個(gè)頻段時(shí)采用PA與雙工器集成的方案PAD。我們TriQuint公司可提供兩種架構(gòu)的方案?!彼偨Y(jié)道。而據(jù)悉,另兩家主流的射頻器件廠商RFMD主要偏向于融合PA的架構(gòu);而Skyworks偏向于多頻PAD方案。
此次,TRITIUM Duo™可以說(shuō)是在后一種架構(gòu)上又有了很大的改進(jìn),因?yàn)樗锩婕闪藘蓚€(gè)PA與兩個(gè)雙工器。相比前一代的TRITIUM(集成一個(gè)PA與雙工器)是一個(gè)更大的飛躍?!安⑶?,通過采用新工藝和封裝技術(shù),2個(gè)功率放大器和2個(gè)雙工器集成到了一個(gè)模塊,尺寸比單頻帶的PAD還要小,成本也相當(dāng)有優(yōu)勢(shì)。”熊挺表示。
他這里指的新工藝和封裝是指采用了TriQuint專有的倒裝晶片CuFlip™技術(shù),以銅凸塊取代絲焊,取代金線,從而節(jié)省了占板空間并降低成本,而且消除了噪聲輻射線,極大地提高了系統(tǒng)性能。此外,銅凸塊比傳統(tǒng)互連技術(shù)的散熱性要更好。該集成的倒裝晶片技術(shù) BiHEMT功率放大器裸片,可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電流特性,從而可提升手機(jī)的通話時(shí)間。
另一個(gè)更重要的創(chuàng)新是TRITIUM Duo中的濾波器采用了晶片級(jí)封裝(WLP)技術(shù),取代了之前昂貴的陶瓷封裝,使成本下降,且尺寸也大幅減小,取消了發(fā)射SAW濾波器。此外,PAD模塊中還集成了高性能體聲波(BAW)和表面聲波(SAW)雙工器功能。
當(dāng)然,TRITIUM Duo的推出是基于Triquint多年來(lái)在射頻集成上的技術(shù)積累?!叭蛞恍╊I(lǐng)先移動(dòng)手持終端生產(chǎn)商,包括三星、華為、中興,都選擇了TriQuint的新QUANTUM 發(fā)射模塊。TriQuint的前幾代QUANTUM發(fā)射模塊產(chǎn)品都很成功,迄今出貨量已超過1.5億單元?!毙芡Ρ硎?,“眾所周知,2G發(fā)射模塊是成本最低、最高性能的解決方案?,F(xiàn)在,3G/4G手機(jī)中,PA雙工器集成擁有非常相似的特性?!?
TRITIUM Duo™系列已經(jīng)被客戶們認(rèn)可并采用到下一代
智能手機(jī)中。為歡迎2012年智能3G/4G手機(jī)的爆發(fā)年,TriQuint在2011年將制造能力增加了40%,來(lái)支持客戶對(duì)其不斷增加的移動(dòng)產(chǎn)品系列的需求。
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僅需要三顆模塊(兩個(gè)TRITIUM Duo™和一個(gè)發(fā)射模塊)則可成為一個(gè)完整的高度集成的四頻3G射頻前端。減小外圍器件,面積僅為182 mm2,非常簡(jiǎn)潔漂亮,熊挺稱之為“工藝品”。OIwesmc
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多頻多模3G/4G射頻前端有兩種集成方式:PA融合式(左)和沿鏈路集成式(右),兩種架構(gòu)各有優(yōu)缺點(diǎn)。OIwesmc
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