直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時間都處于供應(yīng)不足局面，難以滿足中國各行業(yè)的需求，包括本地數(shù)據(jù)處理、消費(fèi)與通信領(lǐng)域。去年，功率MOSFET在中國市場強(qiáng)勁增長，可能主要?dú)w功于中國政府的推動。為了鼓勵投資和刺激經(jīng)濟(jì)，中國政府推出了一系列政策。這些政府行動使一些應(yīng)用功率MOSFET的產(chǎn)業(yè)受益，包括汽車、通信、消費(fèi)、綠色能源與工業(yè)。 功率MOSFET是為處理較高的功率級而設(shè)計的功率半導(dǎo)體器件，主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開關(guān)。目前，MOSFET的供應(yīng)商眾多，包括Vishay、Rohm、Fairchild、EUPEC(歐派克)、IXYS、Infineon、Semikron、Microsemi、ST、Diodes、Onsemi、瑞薩、士蘭微、富鼎、尼克森、茂達(dá)、閘能科技等。隨著太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、LED照明、LED TV，以及電動汽車/混合動力汽車市場等綠色能源與工業(yè)電子市場的快速發(fā)展，中國市場對MOSFET的需求也在快速上漲。 但是，2011年功率MOSFET增長速度不會像去年那么快。一方面，中國政府在投資方面變得更加謹(jǐn)慎，并開始緊縮政策以抑制通脹。另一方面，日本3月地震預(yù)計會至少影響未來幾個月的晶圓與原材料供應(yīng)。 據(jù)IHS iSuppli公司，未來幾年，數(shù)據(jù)處理將繼續(xù)在中國功率MOSFET市場占據(jù)主要地位，2010-2015年增長速度約為12%，筆記本將是推動增長的主要因素。而受益于中國對電視和家用電器的旺盛需求，消費(fèi)電子成為中國第二大功率MOSFET市場。其它市場包括：無線通信，有線通信，工業(yè)電子，汽車電子等等。IHS iSuppli預(yù)估，2010-2015年中國功率MOSFET市場的總體復(fù)合年度增長率(CAGR)將為13.7%。

2009-2015年中國MOSFET銷售額預(yù)測。
來源：IHS iSuppli公司Uzresmc

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{pagination} MOSFET的供應(yīng)商們 Vishay是主要的MOSFET供應(yīng)商之一。據(jù)該公司亞洲區(qū)市場部半導(dǎo)體部門副總裁Terry Leung介紹，Vishay有從8V至1000V的連續(xù)MOSFET產(chǎn)品，可應(yīng)用于多個領(lǐng)域：從低功耗便攜式產(chǎn)品應(yīng)用到許多高功率的工業(yè)產(chǎn)品。此外，針對光伏太陽能逆變器、HEV/EV動力系統(tǒng)電池板充電器、UPS主變頻器、工業(yè)用開關(guān)電源主逆變器（SMPS）等主要目標(biāo)市場，Vishay還提供相應(yīng)的模塊產(chǎn)品。

閘能科技股份有限公司副總裁廖思翰

Terry Leung介紹，Vishay的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域，主要客戶包括蘋果、Continental、思科、戴爾、華為、三星、西門子、臺達(dá)、艾默生、Powerone等。他透露，去年Vishay MOSFET和模塊產(chǎn)品的出貨量達(dá)到數(shù)百萬。而由于去年Vishay分別在前端和后端兩方面的生產(chǎn)增加許多投資，穩(wěn)定了市場供應(yīng)，“相比2010年，我們預(yù)測今年營業(yè)額將有兩位數(shù)的增長”，Terry Leung表示。 閘能科技是一家于2010年5月成立的新公司，擁有MOSFET/ TVS ESD / DC - DC電源管理IC產(chǎn)品線，能夠提供超過200種類型的產(chǎn)品。閘能科技股份有限公司副總裁廖思翰介紹，關(guān)于MOSFET產(chǎn)品，閘能科技會更加專注于LED TV、網(wǎng)絡(luò)、便攜式電子設(shè)備、吊車系統(tǒng)等領(lǐng)域，尤其是在LED TV、網(wǎng)絡(luò)以及電源管理系統(tǒng)部分。 除了20V〜60V的MOSFET，特別是小型封裝的SOT-723/SOT-523/SOT-89/SOT-23等產(chǎn)品，閘能科技還將致力于高電流MOSFET（TO-252/SOP-8P）。到2011年第一季度，閘能科技已有超過180個類型的MOSFET產(chǎn)品。廖思翰表示，在2011年第二季度，閘能科技將專注于80V-100V MOSFET的發(fā)展，這將應(yīng)用在LED照明、開關(guān)電源、LED TV、電子設(shè)備等方面。 本文下一頁：綠色新能源領(lǐng)域應(yīng)用備受關(guān)注 本文為《國際電子商情》原創(chuàng)，版權(quán)所有，謝絕轉(zhuǎn)載

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{pagination} 綠色新能源領(lǐng)域應(yīng)用備受關(guān)注 太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電和電動汽車/混合動力汽車市場開始受到供應(yīng)商的重點(diǎn)關(guān)注。 廖思翰表示，太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、LED照明和電動汽車/混合動力汽車這些市場正是閘能科技致力于開發(fā)80V〜100V MOSFET的原因。“其重要性甚至超過150V MOSFET和高壓MOSFET（600V以上）”，廖思翰說，該領(lǐng)域也將是閘能科技2011〜2012年度計劃的重要內(nèi)容之一。閘能科技在電源管理IC的開發(fā)工作包括LED照明的DC- DC /AC-DC轉(zhuǎn)換器IC，為此該公司將繼續(xù)提高M(jìn)OSFET的生產(chǎn)工藝和設(shè)計水平。 針對低電壓應(yīng)用，Vishay推出了1G cell場效應(yīng)管MOSFET和Thunder FET；針對高電壓應(yīng)用，Vishay已經(jīng)開發(fā)出Super Junction MOSFET?！皬碾娫茨K的角度來看，我們開發(fā)了一個完整的產(chǎn)品系列，應(yīng)用于各種光伏逆變器和逆變器專用模塊中?！? Terry Leung表示，Vishay針對在光伏（PV）、混合動力電動汽車（HEV）/電動汽車（EV）領(lǐng)域推出了高頻優(yōu)化的高壓MOSFET，以提高最大功率點(diǎn)跟蹤（MPPT）階段效率。同時在電動車/混合動力汽車市場，Vishay也提供汽車級MOSFET，以提高可靠性。Terry Leung透露，其產(chǎn)品已經(jīng)被應(yīng)用到雷諾公司上市的Gen I汽車中。 高能效電氣系統(tǒng)對于汽車制造商日益重要。從車窗升降機(jī)、雨刷器、暖氣鼓風(fēng)機(jī)，到引擎控制模塊、起動機(jī)-交流發(fā)電機(jī)、能源恢復(fù)系統(tǒng)，這些均由電氣系統(tǒng)管理，而混合動力汽車則更需要高效的能源管理系統(tǒng)，以最大限度地延長汽車的續(xù)航里程。

意法半導(dǎo)體（ST）車用40V STripFET VI DeepGATE功率MOSFET產(chǎn)品Uzresmc

五月底，意法半導(dǎo)體（ST）推出推出9款全新汽車級功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大STripFE VI DeepGATE 功率MOSFET產(chǎn)品組合，為新一代汽車實現(xiàn)能效、尺寸及成本優(yōu)勢，全面提升汽車電氣系統(tǒng)能效。據(jù)介紹，意法半導(dǎo)體的新款功率MOSFET能夠?qū)㈦姎庀到y(tǒng)驅(qū)動器和控制器的正常功耗降至最低，從而提升電氣系統(tǒng)的能效；同時還可減少電路產(chǎn)生的熱量，實現(xiàn)更小、更輕的裝置設(shè)備。這兩款產(chǎn)品擁有3.0 mΩ至12.5 mΩ的低導(dǎo)通功耗，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)DPAK或D2PAK兩種貼裝功率封裝，占用更小的電路板空間。全新功率MOSFETS系列包括邏輯電平和標(biāo)準(zhǔn)電平兩款型號。除汽車設(shè)備以外，新系列產(chǎn)品還可提高其它應(yīng)用的電源和驅(qū)動器的能效。據(jù)悉，9款新產(chǎn)品均已量產(chǎn)。

Diodes的操作運(yùn)行溫度低于大型封裝器件的超小型MOSFETUzresmc

同樣在五月底，另外一件供應(yīng)商Diodes也推出操作運(yùn)行溫度低于大型封裝器件的超小型MOSFET，以適應(yīng)更加苛刻的應(yīng)用環(huán)境要求。據(jù)悉，該系列高性能MOSFET產(chǎn)品采用超小型DFN1006-3封裝，僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間。因此，該MOSFET的運(yùn)行溫度更低，并可節(jié)省空間，加上離板高度僅為0.4毫米，尤其適用于超薄便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品，包括平板電腦及智能手機(jī)。 電源工程師一直面對減小應(yīng)用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負(fù)載點(diǎn)、服務(wù)器、游戲和電信應(yīng)用中，上述兩點(diǎn)尤為重要。為了幫助設(shè)計人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，作為MOSFET的主要供應(yīng)商之一，飛兆半導(dǎo)體于六月發(fā)布推出全新功率級非對稱雙MOSFET模塊FDMS36xxS系列。 FDMS36xxS系列器件在PQFN封裝中結(jié)合了控制和同步MOSFET，以及一個肖特基體二極管。這些器件的開關(guān)節(jié)點(diǎn)已獲內(nèi)部連接，能夠輕易進(jìn)行同步降壓轉(zhuǎn)換器的布局和走線?？刂芃OSFET(Q1)和同步MOSFET(SyncFET)(Q2)經(jīng)專門設(shè)計，為高達(dá)30A的輸出電流實現(xiàn)最佳功效。FDMS36xxS系列將上述器件集成在一個模塊中，可替代兩個或更多的5mm x 6mm PQFN、S08和DPAK封裝，有效減少線路板空間。 FDMS36xxS系列器件目前包括：FDMS3602S和FDMS3604AS PowerTrench功率級非對稱N溝道雙MOSFET。飛兆半導(dǎo)體將會根據(jù)研究和客戶需求增添更多的器件。兩款FDMS36xxS系列器件均滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)要求，且具有市場上所有5mm×6mm雙MOSFET解決方案的最大輸出電流，可滿足電源設(shè)計人員的高功率密度和易于設(shè)計要求。據(jù)悉，該產(chǎn)品現(xiàn)已可提供樣品，交貨期為8至10周。 本文為《國際電子商情》原創(chuàng)，版權(quán)所有，謝絕轉(zhuǎn)載

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