在今年的IIC-CHINA 2011的晶振廠商展臺(tái)上，發(fā)現(xiàn)兩個(gè)特點(diǎn)：一是，SMD晶振已經(jīng)取代直插式成為市場(chǎng)的主流，二是，雖然石英振蕩器和全硅振蕩器之爭(zhēng)已有多年，但在中國(guó)市場(chǎng)大部分廠商還是采用石英作為原材料，全硅振蕩器的身影依舊單薄，并沒(méi)有想象中的來(lái)勢(shì)兇猛。 SMD晶振取代直插式成主流

深圳福浪電子 陳軍

小型化，高精度，高可靠性是晶體振蕩器永恒不變的主題，隨著近年來(lái)，人工成本和材料成本的上漲，大部分廠商選擇增大短期投入，提高自動(dòng)化生產(chǎn)，減少人工的依賴，SMD已然成為一種趨勢(shì)，此外，受傳統(tǒng)加工制造方法的限制，直插式晶振尺寸不可能做的很小，這也注定了直插式晶振只能成為歷史。 深圳福浪電子的陳軍先生表示：“目前，對(duì)于晶振需求量最大的市場(chǎng)依然是以手機(jī)為主的消費(fèi)電子市場(chǎng)以及工控和無(wú)線通信領(lǐng)域。單個(gè)手機(jī)至少采用三個(gè)晶振（26M本振，32768時(shí)鐘顯示以及32M藍(lán)牙），而手機(jī)本身對(duì)于尺寸要求就極其嚴(yán)苛，晶振的小型化就顯得格外重要，主流手機(jī)中直插式晶振早已被淘汰，而且使用的SMD晶振尺寸也越來(lái)越小?！?

深圳福浪電子在IIC展出的SMD晶振產(chǎn)品SXJesmc

深圳星通時(shí)頻的胡華才也表示，今年客戶需求明顯以SMD為主，手機(jī)則以3.2×2.5和5.0×3.2尺寸為主，一些高端手機(jī)已經(jīng)開(kāi)始向2.5×2.0和2.0×1.6尺寸靠攏，他還表示，現(xiàn)在客戶對(duì)產(chǎn)品精確度要求也變得更加嚴(yán)格，以±10ppm為主流規(guī)格。

深圳星通時(shí)頻在IIC展出的直插和SMD晶振產(chǎn)品SXJesmc

很多不愿采用SMD晶振的客戶主要還是價(jià)格原因，SMD要比直插式至少貴2-3倍，深圳福浪的陳軍介紹，晶振價(jià)格不會(huì)像電容、電感等產(chǎn)品易受原材料影響，晶振每年平均降幅在10-15%，只要降到一定程度，接受范圍就會(huì)擴(kuò)大，而且SMD晶振有良好的一致性、可靠性，耐高溫，以及小型化，這些都是直插式所不具備的。 ［轉(zhuǎn)下一頁(yè)：全硅取代石英，精度依舊有待突破］ {pagination} 全硅取代石英，精度依舊有待突破 雖然SMD晶振取代直插式已成定局，但全硅振蕩器想要取代石英振蕩器可能不會(huì)順利，自從SiTime在2006年推出首款全硅MEMS振蕩器以來(lái)，全硅MEMS振蕩器就一直被認(rèn)為是取代石英晶振的最佳替代品。Silicon Clock，IDT等公司也推出基于CMOS工藝的全硅振蕩器（不含MEMS，石英和SAW），同樣獲得不亞于石英晶振的精度和可靠性，而且它們的目標(biāo)就是取代小型SMD晶振，對(duì)于SMD晶體來(lái)說(shuō)，受傳統(tǒng)切割工藝的影響，價(jià)格隨著體積變動(dòng)，體積越小，工藝難度越大，價(jià)格越貴，而對(duì)MEMS振蕩器而言，雖然制造成本昂貴，但體積越小，占用的硅片越小，越便宜。 目前全硅振蕩器的制造廠商有SiTime、Discera、Silicon Clock、IDT和Mobius微系統(tǒng)等公司，其中SiTime主要以MEMS工藝為主，Silicon Clock的產(chǎn)品線既包含CMOS工藝制造的全硅振蕩器，也有MEMS工藝制造的振蕩器。 全硅振蕩器相比于傳統(tǒng)石英晶振的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在：可編程，高穩(wěn)定性以及量產(chǎn)快，面市時(shí)間短。全硅振蕩器可大規(guī)模量產(chǎn)，根據(jù)客戶需求設(shè)定頻率，而不像石英，一旦切割完成，頻率基本就固定。

Michael：石英晶振會(huì)繼續(xù)保有2ppm甚至更低精度需求的溫度補(bǔ)償晶振(TCXOs)的市場(chǎng)份額

IDT公司近期推出一款全硅振蕩器產(chǎn)品3C02，據(jù)IDT硅頻率控制業(yè)務(wù)總經(jīng)理Michael McCorquodale介紹，3C02采用全硅單芯片設(shè)計(jì)，不含石英晶體，但卻能達(dá)到與石英晶振一樣的性能，此外3C02還能與標(biāo)準(zhǔn)晶振實(shí)現(xiàn)管腳兼容，其次，3C02內(nèi)部不含移動(dòng)機(jī)械部件，具有良好的穩(wěn)定度和可靠性，3C02支持4到133MHz的工作頻率，功耗卻只有2mA，非常適合消費(fèi)電子、無(wú)線接口（如S-ATA 和USB）以及數(shù)據(jù)通訊應(yīng)用（如千兆位以太網(wǎng)）等。 談到全硅振蕩器是否會(huì)取代石英晶振時(shí)，Michael表示，雖然全硅振蕩器有諸多優(yōu)點(diǎn)，但石英晶振會(huì)繼續(xù)保有2ppm甚至更低精度需求的溫度補(bǔ)償晶振(TCXOs)的市場(chǎng)份額，全硅振蕩器的精度暫時(shí)還無(wú)法達(dá)到這個(gè)級(jí)別，而且我們也沒(méi)有在近期達(dá)到這個(gè)性能水平的計(jì)劃。

Herbe: 全硅振蕩器將會(huì)取代石英晶振在以太網(wǎng)（25M-125MHz）、PC機(jī)（S-ATA ，USB，PCI-E）以及工業(yè)（24M-44MHz）等領(lǐng)域的市場(chǎng)份額。

Silicon labs時(shí)鐘產(chǎn)品部經(jīng)理Herbe Chun也表示：“Silicon Labs所有的XO/ VCXO都提供小于1ps RMS的相位抖動(dòng)特性，這使他們能夠用于高速串行應(yīng)用，如千兆以太網(wǎng)（Gigabit Ethernet）、萬(wàn)兆以太網(wǎng)（10GbE）、光纖通道（Fibre Channel）、廣播視頻（HD SDI）、SONET/SDH、光傳輸網(wǎng)絡(luò)（OTN）、無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)（PON）、通用公共無(wú)線電接口（CPRI）和PCI Express Gen1/Gen2/Gen3?，F(xiàn)在Silicon Clock的MEMS全硅振蕩器抖動(dòng)也已經(jīng)可以做到小于1ps RMS，精確度小于20ppm， 我認(rèn)為全硅振蕩器將會(huì)取代石英晶振在以太網(wǎng)（25M-125MHz）、PC機(jī)（S-ATA ，USB，PCI-E）以及工業(yè)（24M-44MHz）等領(lǐng)域的市場(chǎng)份額，至于更高精度和可靠性需求的高端通信和軍用市場(chǎng)，全硅振蕩器暫時(shí)還無(wú)法做到。” Epson Toyocom公司則開(kāi)辟一條新途徑，同樣采用MEMS工藝，只是原材料仍然是石英基底，而不是MEMS工藝中常用的硅基底。Epson認(rèn)為石英晶體硬度及理化性質(zhì)穩(wěn)定，頻率基本不隨溫度變化，由此產(chǎn)生的內(nèi)部振蕩損失也最小，非常適合精密制造，這些特性決定石英比硅更適合做頻率器件，同時(shí)MEMS工藝又可以突破傳統(tǒng)石英加工的小尺寸限制，良率和成本都得到了改善，因此，全硅振蕩器要想取代石英晶振，首先必須要克服成本和精度的問(wèn)題。