就像PC主板上的規(guī)范都是由英特爾主導(dǎo)，外圍器件廠商必須分秒跟隨一樣，現(xiàn)在高通成為WCDMA手機(jī)主板上規(guī)范的制定者，外圍芯片廠商必須跟隨他玩才能獲得市場(chǎng)。而高通每一次的新規(guī)格發(fā)布，就會(huì)導(dǎo)致手機(jī)廠商/設(shè)計(jì)公司重新選擇新的外圍器件，也就導(dǎo)致了外圍芯片供應(yīng)格局的變化。 PA（功率放大器）是手機(jī)中除主芯片外最重要的外圍器件，也是手機(jī)功耗、面積的消耗大戶，特別是在3G多頻段多模式的手機(jī)中，需要多塊PA。高通去年對(duì)WCDMA線性PAM規(guī)范進(jìn)行了新的定義，要求由原來的4X4規(guī)格變成3X3，并且能通過兩個(gè)數(shù)位控制高中低三種狀態(tài)的功率級(jí)，以達(dá)到最佳功效，而之前則是一個(gè)數(shù)位控制高低兩個(gè)狀態(tài)。3X3規(guī)格將是未來1-2年的主流尺寸。 顯然，這一新的規(guī)定將導(dǎo)致WCDMA手機(jī)市場(chǎng)PA供應(yīng)高格局的洗牌。目前在中國(guó)市場(chǎng)，安華高、RFMD與Anadigics是主要的WCMA手機(jī)PA供應(yīng)商，特別是安華高，幾乎通吃中國(guó)最大的兩家WCDMA終端廠商份額。而作為全球第三大砷化鎵廠商TriQuint雖然在CDMA、EDGE市場(chǎng)有不錯(cuò)的份額，但是WCDMA市場(chǎng)，他們慢了半步。不過，現(xiàn)在機(jī)會(huì)來了，“你不久就會(huì)看見我們?cè)赪CDMA市場(chǎng)的份額會(huì)有很大變化?！盩riQuint中國(guó)區(qū)總經(jīng)理熊挺對(duì)本刊很自信地說道。 他的自信是有理由的。相比以前在WCMA市場(chǎng)比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手慢了半步，這次高通新發(fā)布的規(guī)范使得TriQuint與對(duì)手站在了同一起跑線上，且他們還拿出了兩個(gè)殺手锏：一個(gè)是TriQuint特有的BiHEMT工藝，一個(gè)是采用了無(wú)引線封裝。“通過BiHENT工藝，我們將以前的兩個(gè)Die變成一個(gè)Die，降低了面積，同時(shí)提升了生產(chǎn)的良率；而無(wú)引線封裝技術(shù)則是可以提供最好的熱性能、緊密的分布、更穩(wěn)定、可靠的質(zhì)量?！彼忉?，“我們是第一個(gè)在PA上實(shí)現(xiàn)無(wú)引線封裝的廠商，這個(gè)技術(shù)已是成熟的技術(shù)，我們之前在EDGE產(chǎn)品線已大量出貨超過1億片?，F(xiàn)在，我們將之用于WCDMA后，可使得PAM具有更低的功耗與更小的尺寸，這對(duì)3G手機(jī)來說變得非常重要。”而TriQuint獨(dú)有的Bi-HEMT工藝，具有三層金屬結(jié)構(gòu)，每平方米電阻達(dá)50ohm，同時(shí)每平方米MIM電容可達(dá)1200pF。該獨(dú)特工藝由TriQuint的HBT和E/D pHEMT外延工藝組成，HBT是已由TriQuint證實(shí)的非常優(yōu)秀的PA工藝，而E/D pHEMT可實(shí)現(xiàn)非常好的RF性能（0.7um的線寬，高電流密度和低阻抗），采用三層結(jié)構(gòu)則是為了實(shí)現(xiàn)最高級(jí)晶體管性能。 除此之外，TriQuint在新一代的WCDMA PAM中還加入了偶合器，以實(shí)現(xiàn)閉環(huán)功率控制，使得PA總是在電流最優(yōu)位置，從而進(jìn)一步控制功耗?！耙陨线@一系列的優(yōu)勢(shì)，使得我們的產(chǎn)品備受用戶青睞，在主要手機(jī)廠商基于高通平臺(tái)的新設(shè)計(jì)項(xiàng)目中我們已贏得不少設(shè)計(jì)訂單?！毙芡ν嘎??？磥?，這一次高通的新規(guī)范發(fā)布，確實(shí)為TriQuint創(chuàng)造了在WCDMA市場(chǎng)洗牌的大好機(jī)會(huì)。 目前TriQuint已推出的3×3 WCDM PAM有五款，包括TQS6011，TQS6012，TQS6014，TQS6015和TQS6018，以滿足不同頻段的要求。