就像PC主板上的規(guī)范都是由英特爾主導(dǎo)，外圍器件廠商必須分秒跟隨一樣，現(xiàn)在高通成為WCDMA手機主板上規(guī)范的制定者，外圍芯片廠商必須跟隨他玩才能獲得市場。而高通每一次的新規(guī)格發(fā)布，就會導(dǎo)致手機廠商/設(shè)計公司重新選擇新的外圍器件，也就導(dǎo)致了外圍芯片供應(yīng)格局的變化。 PA（功率放大器）是手機中除主芯片外最重要的外圍器件，也是手機功耗、面積的消耗大戶，特別是在3G多頻段多模式的手機中，需要多塊PA。高通去年對WCDMA線性PAM規(guī)范進行了新的定義，要求由原來的4X4規(guī)格變成3X3，并且能通過兩個數(shù)位控制高中低三種狀態(tài)的功率級，以達到最佳功效，而之前則是一個數(shù)位控制高低兩個狀態(tài)。3X3規(guī)格將是未來1-2年的主流尺寸。 顯然，這一新的規(guī)定將導(dǎo)致WCDMA手機市場PA供應(yīng)高格局的洗牌。目前在中國市場，安華高、RFMD與Anadigics是主要的WCMA手機PA供應(yīng)商，特別是安華高，幾乎通吃中國最大的兩家WCDMA終端廠商份額。而作為全球第三大砷化鎵廠商TriQuint雖然在CDMA、EDGE市場有不錯的份額，但是WCDMA市場，他們慢了半步。不過，現(xiàn)在機會來了，“你不久就會看見我們在WCDMA市場的份額會有很大變化?！盩riQuint中國區(qū)總經(jīng)理熊挺對本刊很自信地說道。 他的自信是有理由的。相比以前在WCMA市場比競爭對手慢了半步，這次高通新發(fā)布的規(guī)范使得TriQuint與對手站在了同一起跑線上，且他們還拿出了兩個殺手锏：一個是TriQuint特有的BiHEMT工藝，一個是采用了無引線封裝?！巴ㄟ^BiHENT工藝，我們將以前的兩個Die變成一個Die，降低了面積，同時提升了生產(chǎn)的良率；而無引線封裝技術(shù)則是可以提供最好的熱性能、緊密的分布、更穩(wěn)定、可靠的質(zhì)量。”他解釋，“我們是第一個在PA上實現(xiàn)無引線封裝的廠商，這個技術(shù)已是成熟的技術(shù)，我們之前在EDGE產(chǎn)品線已大量出貨超過1億片?，F(xiàn)在，我們將之用于WCDMA后，可使得PAM具有更低的功耗與更小的尺寸，這對3G手機來說變得非常重要?！倍鳷riQuint獨有的Bi-HEMT工藝，具有三層金屬結(jié)構(gòu)，每平方米電阻達50ohm，同時每平方米MIM電容可達1200pF。該獨特工藝由TriQuint的HBT和E/D pHEMT外延工藝組成，HBT是已由TriQuint證實的非常優(yōu)秀的PA工藝，而E/D pHEMT可實現(xiàn)非常好的RF性能（0.7um的線寬，高電流密度和低阻抗），采用三層結(jié)構(gòu)則是為了實現(xiàn)最高級晶體管性能。 除此之外，TriQuint在新一代的WCDMA PAM中還加入了偶合器，以實現(xiàn)閉環(huán)功率控制，使得PA總是在電流最優(yōu)位置，從而進一步控制功耗?！耙陨线@一系列的優(yōu)勢，使得我們的產(chǎn)品備受用戶青睞，在主要手機廠商基于高通平臺的新設(shè)計項目中我們已贏得不少設(shè)計訂單。”熊挺透露。看來，這一次高通的新規(guī)范發(fā)布，確實為TriQuint創(chuàng)造了在WCDMA市場洗牌的大好機會。 目前TriQuint已推出的3×3 WCDM PAM有五款，包括TQS6011，TQS6012，TQS6014，TQS6015和TQS6018，以滿足不同頻段的要求。