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節(jié)能趨勢(shì)明顯,功率半導(dǎo)體需求看漲

由于節(jié)能的呼聲日益高漲,相關(guān)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求看漲。再者,在國(guó)際大廠和大陸廠商所形成的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)壓力下,MOSFET毛利日漸降低,因此臺(tái)灣地區(qū)廠商正亟思突破之道。

CAT ID: 2800 功率半導(dǎo)體種類(lèi)繁多,可分為Power MOSFET(金氧半功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管)及電源IC等,其應(yīng)用也相當(dāng)普及,包括電源供應(yīng)器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、便攜式電子設(shè)備、照明、家電、汽車(chē)等。近年由于電力電子技術(shù)的發(fā)展及廣泛運(yùn)用于電機(jī)應(yīng)用場(chǎng)合,使得各產(chǎn)品對(duì)功率半導(dǎo)體組件的需求急速增加,尤其是當(dāng)前節(jié)能議題日受重視,功率半導(dǎo)體重要性愈發(fā)突顯。例如世界自然基金會(huì)的《計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)拯救氣候行動(dòng)計(jì)劃》正在推動(dòng)提升電子設(shè)備能效,希望至2010年,全球每年來(lái)自計(jì)算機(jī)應(yīng)用所產(chǎn)生的二氧化碳排放量減少約5,400萬(wàn)噸,這個(gè)數(shù)字相當(dāng)于10~20座燃煤電廠的排放量。 善用功率半導(dǎo)體組件,省電效益驚人 功率半導(dǎo)體廠商在節(jié)能領(lǐng)域頗有發(fā)展空間,通過(guò)電子組件效能的改善及提升,將可大幅改善全球電力消耗的情況。采用電子鎮(zhèn)流可為全球照明領(lǐng)域減少25%的耗電量;若采用電磁感應(yīng)組件取代電烤爐,則可為感應(yīng)式廚具節(jié)省25%的用電量。當(dāng)然,功率半導(dǎo)體對(duì)節(jié)能的效益并不僅止于照明應(yīng)用,諸如電源、馬達(dá)控制等都是功率半導(dǎo)體可以著墨的領(lǐng)域。為順應(yīng)節(jié)能減排的趨勢(shì),功率半導(dǎo)體廠商正持續(xù)從設(shè)計(jì)、制造、封裝以及材料等角度切入,以滿(mǎn)足全球各地針對(duì)不同電子產(chǎn)品所訂制的能效規(guī)范。預(yù)計(jì)在該趨勢(shì)下,功率半導(dǎo)體市場(chǎng)商機(jī)將持續(xù)迸發(fā)。 功率晶體管由于可以承受高電壓(12V~1400V以上)、大電流(數(shù)安培至數(shù)十安培),因此被廣泛應(yīng)用于電源供應(yīng)器、變壓器、汽車(chē)ABS電路、安全氣囊、日光照明電子鎮(zhèn)流器等領(lǐng)域;另外由于其具有開(kāi)關(guān)效率與低阻抗省電的特性,配合薄型封裝,特別適合應(yīng)用于移動(dòng)式電子產(chǎn)品,如手機(jī)、筆記本電腦、鋰電池等。 Power MOSFET應(yīng)用廣泛,功率組件充當(dāng)重要角色 整體而言,功率晶體管的應(yīng)用主要可分為功率轉(zhuǎn)換、功率放大、切換開(kāi)關(guān)、線路保護(hù)、整流等,為振蕩電路、開(kāi)關(guān)電路中運(yùn)用極廣的組件。目前功率晶體管的功能雖可被整合,但在很多方面仍不可或缺。就產(chǎn)品分類(lèi)而言,Power MOSFET約為20%,IGBT為7%。在Power MOSFET領(lǐng)域,目前臺(tái)灣地區(qū)主要供應(yīng)廠商包括富鼎先進(jìn)、尼克森微電子及茂達(dá)等。不過(guò)各家應(yīng)用領(lǐng)域不同,富鼎先進(jìn)及尼克森微電子的產(chǎn)品主要應(yīng)用在主機(jī)板、液晶顯示器方面;茂達(dá)則是針對(duì)手機(jī)、筆記本電腦及消費(fèi)性產(chǎn)品等。 MOSFET競(jìng)爭(zhēng)激烈,廠商致力降低成本 MOSFET的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)相當(dāng)激烈,臺(tái)灣地區(qū)廠商在市場(chǎng)價(jià)格方面承受著極大壓力。據(jù)了解,2008年臺(tái)灣地區(qū)MOSFET IC設(shè)計(jì)公司ASP平均都下滑了20%以上。為求突破,各家廠商紛紛尋求各種途徑增加自身的競(jìng)爭(zhēng)籌碼。例如富鼎先進(jìn)和元隆電子于2008年底正式簽訂合作暨股份交換契約書(shū),此舉主要目的在于深化彼此在Power MOSFET產(chǎn)業(yè)上下游垂直整合的優(yōu)勢(shì),鞏固并加速擴(kuò)大雙方在功率分立式組件領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)與未來(lái)成長(zhǎng)空間。 據(jù)了解,富鼎先進(jìn)的整體營(yíng)收約78%來(lái)自低壓MOSFET,15%來(lái)自高壓MOSFET。在與元隆策略聯(lián)盟后,其MOSFET產(chǎn)品在元隆投片量持續(xù)增加,目前已經(jīng)達(dá)到約五成以上的投片比例。據(jù)業(yè)界評(píng)估,合作使其產(chǎn)品更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),未來(lái)富鼎更可切入低價(jià)的MOSFET市場(chǎng),增加其在主機(jī)板MOSFET的市占率。 此次與富鼎先進(jìn)策略聯(lián)盟的元隆電子,在2008年獲得鴻海集團(tuán)入股后聲勢(shì)看漲。該公司成立于1987年,主要業(yè)務(wù)為6英寸晶圓代工。目前月產(chǎn)能為3.5萬(wàn)片,規(guī)劃最大月產(chǎn)能為5萬(wàn)片,設(shè)備最高制程能力為0.35微米。該公司表示自2000年起即開(kāi)始深耕分立式功率半導(dǎo)體技術(shù),在MOSFET主流技術(shù)領(lǐng)域已累積多年的研發(fā)及量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),具備完整(自20V~900V區(qū)間各種電壓)的Power MOSFET制程技術(shù)及量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),特別是在100伏特以上高壓MOSFET制程技術(shù)及新一代的二極管技術(shù)方面具有領(lǐng)先地位。 調(diào)整產(chǎn)品線,強(qiáng)化產(chǎn)品規(guī)格 另一家臺(tái)灣地區(qū)MOSFET廠商尼克森微電子成立于1998年,該公司表示,其低壓MOSFET約占營(yíng)收比重的90%,從2008年以來(lái)在主機(jī)板市場(chǎng)的占有率有顯著提升,但在TFT LCD應(yīng)用市場(chǎng)上則維持不變,市占率沒(méi)有太大變化。此外,在筆記本電腦應(yīng)用許多Design in將在2009年之內(nèi)陸續(xù)投入市場(chǎng)。在新產(chǎn)品方面,去年開(kāi)始投入的高壓MOSFET在今年也陸續(xù)切入市場(chǎng),其顯著成效估計(jì)會(huì)在2010年顯現(xiàn)。 另外,由于在MOSFET產(chǎn)品方面的毛利率偏低,茂達(dá)電子正在持續(xù)針對(duì)MOSFET產(chǎn)品線進(jìn)行優(yōu)化調(diào)整,積極發(fā)展整合型產(chǎn)品以提升毛利。茂達(dá)電子主要從事模擬集成電路的設(shè)計(jì)、測(cè)試、生產(chǎn)及營(yíng)銷(xiāo)等,其產(chǎn)品線主要分為電源轉(zhuǎn)換與電源管理IC、放大器及驅(qū)動(dòng)IC、離散式功率組件(主要為MOSFET)三大類(lèi)。就2009年第一季的產(chǎn)品組合而言,以MOSFET占35%最高,LDO占27%次之,PWM IC占21%,音頻放大IC占了12%。毛利率則以PWM IC最高,音頻放大IC與LDO分別次之,MOSFET較低。 整體而言,由于功率半導(dǎo)體中的重要組件MOSFET的市場(chǎng)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)非常激烈,導(dǎo)致產(chǎn)品毛利持續(xù)降低,臺(tái)灣地區(qū)廠商正積極在國(guó)際廠商和大陸廠商的夾縫間保持既有的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。 除此之外,值得特別注意的是,變頻器使用的MOSFET將會(huì)面臨消失的壓力,主要原因是未來(lái)LED將會(huì)逐漸取代CCFL,因此對(duì)于Inverter MOSFET的需求會(huì)逐漸減少。有鑒于此,預(yù)計(jì)臺(tái)灣地區(qū)廠商未來(lái)將更加積極地發(fā)展不同的應(yīng)用類(lèi)別,例如筆記本電腦、消費(fèi)性產(chǎn)品等,如此才能在競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)上求生求勝。

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責(zé)編:Quentin
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